背照式结构
技术
图像传感器通用技术

背照式结构

概述

索尼半导体解决方案公司(下称SSS)于2009年推出了感光度比以往提升2倍的背照式CMOS图像传感器产品。与传统型的前照式CMOS图像传感器相比,不仅感光度达到2倍左右,还实现了低噪点。通过从硅电路板的背面进行光的照射,可避免受到配线及晶体管的影响,增大单位像素的进光量,而且还能够抑制光入射角度变化导致的感光度下降的问题。即使在夜景等昏暗的场所中,也能够拍摄到流畅、高画质的影像。

概述

技术说明

自主开发出最适合于背照式的光电二极管结构

在背照式结构中,通过让光从硅电路板的反面(背面)进行照射,这样就不会受到配线及晶体管的影响,增大单位像素的进光量,还能够抑制因光入射角度变化造成的感光度下降的问题。然而,背照式与以往的前照式技术相比,其结构和工序容易导致噪点、暗电流、像素缺陷、混色等问题的发生,造成图像传感器画质低下和S/N比降低等问题。

为此,SSS自主开发了最适合于背照式的光电二极管结构,使得感光度得以提高,同时还降低了噪点、暗电流、像素缺陷,也改善了暗光下的随机噪点问题。另外,凭借高精度的校准技术,还解决了混色问题。

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