CMOSイメージセンサーの品質向上を実現！世界初の技術開発に挑み続ける開発者のDNA

入社後初めて体験した挫折を糧に
逆転の発想で生まれた特許技術

押山が発明賞を受賞した技術は、イメージセンサー内の光をとらえ電子に変換するフォトダイオード（PD）に発生する暗電流を抑制する技術。暗電流はイメージセンサーにおいて、画質特性を悪化させてしまう邪魔者で、暗い場所を撮像する際、暗電流があると暗い部分を黒く表現できず、白っぽくなってしまいます。

ならば、この暗電流が発生しないように製造すればよいと考えられますが、製造過程でどうしても発生してしまうのです。そこで考案したのが、フォトダイオードを固定電荷^*1膜で覆い、暗電流の発生を抑えるという技術。「この技術は逆転の発想で生まれた」という特許技術の誕生には、押山の入社後初の挫折が大きく影響していました。

*2) 光電効果により光電流を生じる装置において、光を照射しない時にも流れている微弱な電流。熱的要因や絶縁不良のために生じる。

2006年に入社した押山の最初の配属先は、先端トランジスタの開発チームでした。各社がトランジスタ技術の開発でしのぎを削っている時代で、押山が配属されたチームも『世界で一番の特性をめざす』を合言葉に日々研究に取り組んでいました。しかし翌2007年、会社の方針でトランジスタの開発は中止となり、チームも解散。「ここまでやってきたので、もっとやりたい」という強い想いと挫折感を味わいました。次の配属先はCMOSイメージセンサーの開発チーム。このチームでは、目的は違いますが、トランジスタと同じ装置、同じ素材を扱っており、これまでの知見が生かせる環境でした。
「トランジスタでは固定電荷は特性を悪化させる厄介な存在でした。この固定電荷をいかになくすかというのがトランジスタの課題だったのですが、CMOSイメージセンサーの場合は、逆にこの固定電荷を使えば暗電流を抑えられるのではないか」という発想に行き着きました。固定電荷のことをずっと考えていたからこそ、逆転の発想で固定電荷を有効利用するアイディアが浮かんだのです。